MJE3055T Transistor BJT NPN 60V - 10A TO-220

MJE3055T Transistor BJT NPN 60V - 10A TO-220, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN. Este transistor es capaz de disipar hasta 75W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 10A o que requieran tensiones de hasta 60VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.

Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 5 y 100. 

Dispositivo diseñado para el Procesado de Señales, Administración de Potencia, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo e Industrial, puede operar como Amplificador de Audio y Driver 

Principales Características: 

• Tipo de Encapsulado: TO-220
• Transistor complementario MJE2955T
• Transistor equivalente a NTE331
• Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
• Voltaje Colector - Emisor (VCE): 60V
• Voltaje Colector - Base (VCB): 70V
• Voltaje Emisor - Base (VEB): 5V
• Corriente Colector (IC): 10A
• Corriente Base (IB): 6A
• Potencia Máxima Disipada (PD): 75W
• Ganancia Máxima (hFE): 100
• Frecuencia de Trabajo (FT): 2 MHz