BD140 Transistor BJT PNP -80V / -1.5A TO-126

Por Ferretrónica
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BD140 Transistor BJT PNP -80V / -1.5A TO-126, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es capaz de disipar hasta 12.5W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 1.5A o que requieran tensiones de hasta 80VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.

Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre los 40 y los 250. 

Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio y driver o en aplicaciones de Radio, Televisión, Equipos electrónicos de medicina, Amplificadores de alta potencia y potencia media.

Principales Características: 

  • Tipo de Encapsulado: TO-126
  • Transistor complementario BD139
  • Transistor equivalente a BD136, BD138, NTE374
  • Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo PNP
  • Voltaje Colector - Emisor (VCE): -80V
  • Voltaje Colector - Base (VCB): -80V
  • Voltaje Emisor - Base (VEB): -5V
  • Corriente Colector (IC): -1.5A
  • Potencia Máxima Disipada (PD): 12.5W
  • Ganancia Máxima (hFE): 250
  • Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 190 MHz
Hoja Técnica BD140

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