2N5401 Transistor BJT PNP -150V / -600mA TO-92
Por Ferretrónica
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2N5401 Transistor BJT PNP -150V / -600mA TO-92, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 625mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 600mA o que requieran tensiones de hasta 150VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre los 30 y los 240.
Principales Características:
- Tipo de Encapsulado: TO-92
- Transistor complementario del 2N5550 / 2N5551
- Transistor equivalente a NTE288
- Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo PNP
- Voltaje Colector - Emisor (VCE): -150V
- Voltaje Colector - Base (VCB): -160V
- Voltaje Emisor - Base (VEB): -5V
- Corriente Colector (IC): -600mA
- Potencia Máxima Disipada (PD): 625 mW
- Ganancia Máxima (hFE): 240
- Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 400 MHz
