TIP47 Transistor BJT NPN 250V - 1A TO-220
TIP47 Transistor BJT NPN 250V - 1A TO-220, semiconductor bipolar de alto voltaje de juntura NPN. Este transistor es capaz de disipar hasta 40W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 1A o que requieran tensiones de hasta 250VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 10 y 150.
Dispositivo diseñado para el Procesado de Señales, Administración de Potencia, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo e Industrial y swicheo en cargas que requieran alto voltaje.
Principales Características:
- Tipo de Encapsulado: TO-220
- Transistor complementario TIP49
- Transistor equivalente a NTE198
- Transistor de alto voltaje de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
- Voltaje Colector - Emisor (VCE): 250V
- Voltaje Colector - Base (VCB): 350V
- Voltaje Emisor - Base (VEB): 5V
- Corriente Colector (IC): 1A
- Corriente Base (IB): 600mA
- Potencia Máxima Disipada (PD): 40W
- Ganancia Máxima (hFE): 150
- Frecuencia de Trabajo (FT): 10 MHz