MJE180 Transistor BJT NPN 40V - 3A TO-126

Por Ferretrónica
Agotado
$800,00

MJE180 Transistor BJT NPN 40V - 3A TO-126, semiconductor bipolar de juntura NPN. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es capaz de disipar hasta 12.5W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran tensiones de hasta 40VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.

Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre los 12 y los 250. 

Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio y driver o en aplicaciones de Radio, Televisión, Equipos electrónicos de medicina, Amplificadores de baja potencia.

Principales Características: 

  • Tipo de Encapsulado: TO-126
  • Transistor equivalente a NTE184
  • Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
  • Voltaje Colector - Emisor (VCE): 40V
  • Voltaje Colector - Base (VCB): 60V
  • Voltaje Emisor - Base (VEB): 7V
  • Corriente Colector (IC): 3A
  • Potencia Máxima Disipada (PD): 12.5W
  • Ganancia Máxima (hFE): 250
  • Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 50 MHz
Hoja Técnica MJE180

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