MJ15025G Transistor BJT PNP -250V / -16A TO-3
MJ15025G Transistor BJT PNP -250V / -16A TO-3, semiconductor bipolar de juntura PNP. Este transistor es de muy alta potencia, capaz de disipar hasta 250W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 16A o que requieran tensiones de hasta 250VDC.
Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 5 y 60
Este transistor esta diseñado para circuitos de conmutación de potencia, reguladores en serie y paralelo, etapas de salida, amplificadores de audio y aplicaciones de switcheo en baja frecuencia.
Principales Características:
- Tipo de Encapsulado: TO-3
- Transistor complementario del MJ15024
- Transistor equivalente a MJ15023, NTE68
- Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo PNP
- Voltaje Colector - Emisor (VCE): -250V
- Voltaje Colector - Base (VCB): -400V
- Voltaje Emisor - Base (VEB): -5V
- Corriente Colector (IC): -16A
- Potencia Máxima Disipada (PD): 250W
- Ganancia Máxima (hFE): 1000
- Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 4 MHz