2N1711 Transistor BJT NPN 50V - 500mA TO-39

Por Ferretrónica
Agotado
$2.700,00

2N1711 Transistor BJT NPN 50V - 500mA TO-39, semiconductor bipolar de juntura NPN. Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 625mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 800mA o que requieran tensiones de hasta 50VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.

Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre los 100 y los 300. 

Es un dispositivo, extremadamente rápido, muy útil en circuitos donde se requiera utilizar dispositivos finales con control PWM de bajo consumo, como pueden ser motores de 3V, con control en velocidad. Ademas, puede ser utilizado en circuitos de amplificación de señales bajas, inversor de estados lógicos (TTL o CMOS), controlar Reles (Relay) y motores de baja potencias, entre otros muchos usos.

Principales Características: 

  • Tipo de Encapsulado: TO-39
  • Transistor complementario del 2N2904
  • Transistor equivalente a NTE128
  • Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
  • Voltaje Colector - Emisor (VCE): 50V
  • Voltaje Colector - Base (VCB): 75V
  • Voltaje Emisor - Base (VEB): 7V
  • Corriente Colector (IC): 500mA
  • Potencia Máxima Disipada (PD): 800 mW
  • Ganancia Máxima (hFE): 300
  • Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 100 MHz
Hoja Técnica 2N1711

Vistos recientemente

Borrar